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ZnOクリスタル基板

説明酸化亜鉛(ZnO)は、非常に興味深い特性を有する単結晶半導体として成長することができる。 バンドギャップは3.4eVの範囲にあり、オプトエレクトロニクスとUVデバイスの青色と紫色のアプリケーションの多くで魅力的です。 それはバルク、ウェーハ上で利用可能です...

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制品の詳細

説明

酸化亜鉛(ZnO)単結晶を、白金製の内側容器を用いた水熱法により育成した。 これらのバルク結晶から得られた2インチのZnOウェハは、極めて高い結晶性および純度を有する。 電気抵抗率は、ウェハ面積全体にわたって非常に均一である。 アニーリング後、ウェーハの表面にステップアンドテラス構造が観察された。 エッチピット密度は80cm-2未満に減少した。 これらの結果は、これらの2インチZnOウェハがワイドバンドギャップデバイス用途に適していることを示唆している。 バンドギャップは3.4eVであり、オプトエレクトロニクスおよびUVデバイスの青色および紫色アプリケーションの多くで魅力的です。

特徴

優れた結晶品質

窒化物に優れた格子整合

デバイス統合のために容易にエッチング

アプリケーション

半導体回路基板

ZnO LED

ZnO膜

主な仕様

材料

ZnO

オリエンテーション

[0 0 0 -1]または[1 0 -1 0] <>

平行

10 "

垂直

5 '

表面品質

10/5

波面歪み

λ/ 4,632nm

表面の平坦度

λ/ 8,632nm

絞りをクリアする

> 95%

面取り

<>

厚さ/直径公差

±0.05 mm

最大寸法

直径50×100mm

コーティング

AR / AR @ 940 + 1030; HR @ 1030 + HT @ 940 + AR1030;

材料特性

物理的および化学的特性

材料のタイプ

単結晶

結晶構造

六方晶、a = b =3.252Å、
c =5.313Å

分子量

81.47

屈折率

n o = 1.3836、n e = 1.3957 @0.405μm

反射損失

5,1%@4.0μm; 11.2%@0.12μm

密度

5.7g / cm 3

融点

1975℃

熱伝導率

6W /(m・K)

熱膨張

∥a:6.5・10 -6 /℃; ∥C:3.7・10 -6 /℃@ 20℃

硬度(モース)

4

誘電定数

∥C:4.87; ⊥C:5.45 @ 95KHz~42MHz

水への溶解度

いいえ

標準製品

オリエンテーション

終わりの構成、nm

厚さ、nm

光伝送

[0 0 0 -1]

5×5

0.5

no = 1.3836、
ne = 1.3957

@0.405μm

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

1

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

8×8

0.5

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

1

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

10×10

0.5

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

1

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

15×15

0.5

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

1

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

直径25.4

0.5

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

1

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

直径50.8

0.5

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

1

[1 0 -1 0]


クリスタル基板を販売することで、それは良いznoクリスタル基板の大手メーカーと供給の一つであり、私たちの工場から良い価格で購入し、卸売製品を歓迎します。

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